浙江大學(xué)2項(xiàng)專利擬轉(zhuǎn)讓，現(xiàn)將相關(guān)信息予以公示。
[1]專利名稱：基于PHEMT的放大器芯片及其熱沉的熱仿真等效模型
專利號：ZL201510233976.8
專利簡介：本發(fā)明公開了一種基于PHEMT的放大器芯片及其熱沉的熱仿真等效模型。該模型包括放大器芯片的等效模型及其熱沉的等效模型。放大器芯片的等效模型包括等效的PHEMT管芯、等效版圖、芯片基板、金屬過孔、背金。熱沉的等效模型包括金錫焊料、墊盤純銅、底板氧化鋇。其中等效PHEMT管芯主要根據(jù)每個(gè)晶體管的結(jié)構(gòu)與熱分布特性將其等效為與晶體管的柵極尺寸相同的T型柵、T型柵下方的熱源以及與整級的柵指尺寸相同的金塊。本發(fā)明實(shí)現(xiàn)了在整個(gè)通用熱分析軟件中準(zhǔn)確模擬基于PHEMT的放大器芯片的管芯熱特性，可以為整個(gè)芯片的電路設(shè)計(jì)和熱設(shè)計(jì)提供快捷有效的參考數(shù)據(jù)。
[2]專利名稱：三模耦合的強(qiáng)高頻側(cè)阻帶抑制微帶帶通濾波器及耦合方法
專利號：ZL201510598796.X
專利簡介：本發(fā)明公開了一種三模耦合的強(qiáng)高頻側(cè)阻帶抑制微帶帶通濾波器及耦合方法。此濾波器包括基板以及基板上的微帶線結(jié)構(gòu)，所述的微帶線結(jié)構(gòu)包括L形彎折的左微帶饋線和右微帶饋線，雙模微帶諧振結(jié)構(gòu)，單模微帶諧振結(jié)構(gòu)；左微帶饋線和右微帶饋線左右對稱；所述的雙模微帶諧振結(jié)構(gòu)和單模微帶諧振結(jié)構(gòu)分別位于左右微帶饋線的上方和下方；位于上方的雙模微帶諧振結(jié)構(gòu)包括半波長的U形微帶線結(jié)構(gòu)和開路短枝節(jié)；位于下方的單模微帶諧振結(jié)構(gòu)包括H形阻抗變換微帶結(jié)構(gòu)和S形的微帶線結(jié)構(gòu)。本發(fā)明具有濾波器體積小，帶內(nèi)平坦度高，高頻側(cè)阻帶抑制強(qiáng)，頻率選擇性強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)，適用于射頻收發(fā)系統(tǒng)的收發(fā)通道間的隔離。
轉(zhuǎn)化方式：轉(zhuǎn)讓
定價(jià)方式：掛牌交易
轉(zhuǎn)化價(jià)格：40萬元
公示期自2020年7月15日至2020年7月29日。如有異議，請?jiān)诠酒趦?nèi)向?qū)W院或者科學(xué)技術(shù)研究院提交異議書及有關(guān)證據(jù)。
航空航天學(xué)院 電話：87952896 郵箱：hseecllx@zju.edu.cn
科學(xué)技術(shù)研究院 電話：88981082，郵箱：kyc1@zju.edu.cn。
航空航天學(xué)院
科學(xué)技術(shù)研究院
2020年7月15日
