報告時間：3月16日(周二) , 10:00am-11:30am
報告地點：玉泉校區(qū)邵逸夫科學(xué)館2樓多功能廳
報 告 人： 永謙世界知名學(xué)者報告 – 哈佛大學(xué)Roy Gordon院士
報告題目：What We Can Do to Solve the Energy Problem
報告摘要：
The climate of the Earth is being disrupted by humans. The cause is mainly emission of gases (carbon dioxide, methane, nitrous oxide, chlorofluorocarbons) that are byproducts of our use of fossil fuels for producing energy. More efficient use of energy is the quickest and cheapest way to reduce this pollution. Less polluting sources of energy are needed as well. Only solar energy has the potential to replace fossil fuels on the huge scale that is needed to supply all the energy used by humans. However, large-scale use of solar power requires new scientific and technological breakthroughs. Processes must be found to make photovoltaic modules more quickly using only inexpensive, abundant elements.
該項目為浙江大學(xué)湯永謙學(xué)科建設(shè)發(fā)展基金資助。
Roy Gordon 院士介紹
Roy G. Gordon院士，美國哈佛大學(xué)化學(xué)系Thomas D. Cabot教授。分別于1961年、1964年在哈佛大學(xué)獲得學(xué)士和博士學(xué)位，1966年應(yīng)聘哈佛大學(xué)助理教授，1969年至今在哈佛大學(xué)任終身教授。1975年當(dāng)選為美國國家科學(xué)院院士(National Academy of Sciences)，1976年當(dāng)選為美國文理科學(xué)院院士(American Academy of Arts and Sciences)，1984年當(dāng)選為歐洲藝術(shù)、科學(xué)和人文科學(xué)院院士(European Academy of Arts, Sciences and Humanities)。
Roy G. Gordon院士1972年獲得美國化學(xué)學(xué)會純化學(xué)大獎(American Chemical Society’s Award in Pure Chemistry)，1979年獲Baekeland獎，1984年獲Bourke獎(the Bourke Award of the Faraday Society)，1996年獲Esselen獎。1991年獲美國100項產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新獎之一(R & D 100 Award)。
Roy G. Gordon院士研究領(lǐng)域涉及應(yīng)用數(shù)學(xué)、物理、化學(xué)和材料科學(xué)。在應(yīng)用數(shù)學(xué)領(lǐng)域發(fā)展了特殊函數(shù)(Airy, Bessel, Weber, Dawson, Morse等)有效近似計算方法，并應(yīng)用于量子力學(xué)和化學(xué)動力學(xué)等領(lǐng)域。在物理化學(xué)領(lǐng)域，提出了“Gordon-Kim”勢函數(shù)，可用于精確計算分子間相互作用力。在材料科學(xué)領(lǐng)域，自80年代后，Roy Gordon院士致力于研究化學(xué)氣相沉積(CVD)和原子層沉積(ALD)的前驅(qū)物及工藝，發(fā)展了一系列可用于生長純金屬、金屬氧化物、氮化物和硫化物等的前驅(qū)物，并應(yīng)用于工業(yè)生產(chǎn)。目前工業(yè)界應(yīng)用的Roy Gordon院士發(fā)明的技術(shù)方法包括：CVD制備氧化錫/二氧化硅多層膜結(jié)構(gòu)用于節(jié)能窗玻璃；快速ALD制備納米Al2O3/SiO2多層膜用于濾光器件；ALD制備氮化鈦納米薄膜用于計算機(jī)芯片中銅、鋁導(dǎo)線的擴(kuò)散勢壘；CVD制備ITO薄膜應(yīng)用于薄膜太陽能電池；CVD制備氮化鋁薄膜應(yīng)用于場致發(fā)光顯示器。
